DRAMキャパシタ電極を6倍深く成膜、Ru材料を2012年に製品化| nikkei BPnet 〈日経BPネット〉

　田中貴金属工業は、DRAMのキャパシタ電極を従来の6倍の深さまで成膜できるルテニウム（Ru）材料を九州大学大学院 工学研究院 応用化学部門 教授の小江誠司氏と共同開発した。次世代DRAMを開発中の半導体メーカーが、製造工程に有機金属気相成長法（MOCVD）を本格導入する時期に合わせて2012年の製品化を目指す。